准确判断结型场效应管的电极是电子维修与调试的基础。本文将介绍一种利用万用表快速判断结型场效应管栅极、源极和漏极的具体方法。1、测试准备万用表调至RX1K挡。假定某一管脚为栅极G，用黑表笔接触。2、判断栅极G若前次阻值小（约5~10欧），交换

绝缘栅型场效应管（MOS管）是许多工程师不会陌生的关键元件之一，该元件因高输入阻抗特点被广泛应用，但这也让MOS管栅极极易击穿，所以有没有关键措施可防止其击穿？！1、保持栅源直流通路栅源间接电阻：在栅源两极之间接一个100KΩ以内的电阻，确

过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，q

场效应晶体管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。与传统的三极管不同，场效应晶体管主要依靠电场来控制电子通道的导通与关闭。FET的基本结构通常包含三个端口：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电

MOS管（场效应管）通常有三个引脚，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。区分这三个引脚的方法如下：1. 引脚标识源极 (S): 通常标有 "S" 或 "S2"。漏极 (D): 通常标有 "D"。栅极 (G):

首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准