可控硅保护电路设计方法
可控硅的保护电路设计,大致可以分为两种情况:一种是在适当的地方安装保护器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路,检测设备的输出电压或输入电流,当输出电压或输入电流超过允许值时,借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态,从而抑制过电压或过电流的数值。
1. 电路设计过流保护
可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因,
如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,