若想要芯片性能好，就离不开晶体管，因为晶体管是构建放大器、开关及电源管理系统的核心组件。在市场上，IGBT、BJT和MOSFET是三大主流晶体管，如何根据项目选择其中一个？1、工作原理对比①BJT（双极型晶体管）结构：由发射极、基极、集电极

你知道吗，在0.1平方厘米的硅片上，数十亿个晶体管以光速开合，构成了现代CPU的计算引擎。这些微观电子开关如何实现加减乘除？又如何驱动3A游戏与AI推理？下面将谈谈这些！1、晶体管：CPU的数字开关MOSFET结构解析三极结构：栅极（Gat

场效应管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子放大和开关电路中。场效应管的基本结构场效应管的基本结构包括三个主要电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。根据不同类型的场效应管（如MOSFET、JFET等），管脚排列

场效应管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子放大和开关电路中。场效应管的基本结构场效应管的基本结构包括三个主要电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。根据不同类型的场效应管（如MOSFET、JFET等），管脚排列

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是现代电子器件中非常重要的组件，广泛应用于开关、电源管理和放大等领域。MOSFET根据其结构和工作原理的不同分为P沟道和N沟道两种类型。一、基本结构与工作原理N沟道MOSFET：结构：N沟道MOS

开关管作为开关电源的核心器件，我们常常将其比喻成我们的心脏，其工作状态直接决定电源的效率、可靠性与稳定性。我们目前常见的开关管有半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT），MOS管比较常用于低 - 中功率场景，IGBT则多比较常用于高电压、大功率的工业领域。 开关

1、D类放大器的热损耗分析D类放大器虽然效率高达85-95%，但剩余5-15%的能量仍会转化为热量，主要来自：MOSFET开关损耗（占60%以上）导通损耗：RDS(on) × I2开关损耗：(trise + tfall) × fsw × V

Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF

Cool-MOS（超级结MOSFET）以其快速开关特性和低功耗在高频开关电源等领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，Cool-MOS系统也面临着一系列问题。本文将直接列出Cool-MOS系统应用中的常见问题，以便工程师快速识别和解决。一、E

电子电路中，有源元件（主动元件）主要包括以下几种类型：三极管：BJT（三极管）：双极性晶体管，广泛用于信号放大和开关。FET（场效应管）：如 MOSFET 和 JFET，主要应用于高频放大和开关电路。集成电路（IC）：包含多个电路功能的元件

在SMPS（开关电源）PCB设计中，大家都说噪声和热量问题是无法解决的，难以避免。但我们可以通过良好的布局布线策略来有效控制及最小化它们的影响。一、噪声问题的具体解决方案1、直接开关噪声的抑制：使用低噪声的开关元件，如MOSFET，并优化其

瞬态振铃是开关电源电路中高频开关动作引起的电压或电流振荡，通常是由寄生电感和电容引起的，这种现象若是不解决，很容易导致后续无法正常运行，效率大大降低。必须及时解决。1、优化功率回路将输入电容、MOSFET、输出电感和输出电容的走线长度控制在

在开关电源（SMP）设计中吗，PCB布局对性能、效率和可靠性至关重要。要想SMP产品优秀，良好的布局布线是必不可少，下面将分享一些实用的技巧，希望对小伙伴们有所帮助。1、功率回路最小化缩短功率路径：将输入电容、开关管（MOSFET）和输出电

在功率Mosfet设计中，许多工程师被要求降低RDS（ON）与栅源偏置电压Vcs，RDS（ON）是Mosfet在导通状态下的电阻，直接影响电子器件的功耗及效率。1、选择合适的MOSFET器件低RDS（ON）器件：选择专门设计为低导通电阻的