在功率Mosfet设计中，许多工程师被要求降低RDS（ON）与栅源偏置电压Vcs，RDS（ON）是Mosfet在导通状态下的电阻，直接影响电子器件的功耗及效率。1、选择合适的MOSFET器件低RDS（ON）器件：选择专门设计为低导通电阻的

开关电源使用过程中有开关损耗，若其开关损耗过大，容易影响整体效率。为了提升电源性能，工程师需要在电源设计合理降低MOSFET和二极管的开关损耗，如何做到？1、选择低导通电阻RDS（ON）的MOSFET具体选择：优先选用具有低RDS(ON)值

宽带放大电路用于放大信号的频率范围较宽的信号。典型的宽带放大电路主要包括以下几种类型：共射放大电路（BJT/共射放大器）：使用双极性晶体管（BJT）进行放大，具有较高增益和宽带特性。常用于音频和射频频率。共源放大电路（MOSFET/共源放大

芯片（集成电路, IC）内部通常包含多种电子元件，这些元件共同协作以实现特定的功能。以下是芯片内部常见的一些电子元件：晶体管类型: 主要是MOSFET（场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）。功能: 用于放大信号和逻辑运算，形成基本的开关和

在半导体技术日新月异的今天，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为集成电路中的核心组件，其性能优劣将影响着整个系统的效能。而在MOSFET参数中，我们总会听说闸极长度是半导体制程进步的关键，这是为什么？1、闸极长度与MOSFET尺

随着时代发展，现代电子设计逐渐高性能、低损耗，要想实现这两个目标，离不开半导体器件的选择，而Cool-MOS作为一种先进的功率MOSFET，凭借其独特的性能优势，在众多应用中脱颖而出。1、通态阻抗与损耗优势Cool-MOS具有极小的通态阻抗

反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压，导致电流反向流过系统。来源：1. MOSFET用于负载切换应用时，体二极管变为正向偏置。2. 当电源从系统断开时，输入电压突然下降。需要考虑反向电流阻断的场合：1. 功率多路复用供电采用MOS控制时2. ORing控制。ORing与功率多路复用类似，不同

今天将谈谈这个镇流器电路图，该电路由IC1、TR1、TR2、L1等元件组成，用于输出80V的开关电源。1、电路核心功能是什么？65kHz方波振荡器：IC1的一部分构成，产生65kHz的方波信号。MOSFET开关：TR2作为N沟道MOSFET

在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET

在讨论电容性能时，我们总会听到“ESR越低，滤波效果越好”类似说法，这也导致许多小白不顾实际需求，使劲降低ESR，但这个观点是否正确？1、输入电容容量要求：大ESR要求：可适当降低，因为主要作用是耐压和吸收MOSFET开关脉冲。结论：在此场

推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时

在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开