今天将谈谈这个镇流器电路图，该电路由IC1、TR1、TR2、L1等元件组成，用于输出80V的开关电源。1、电路核心功能是什么？65kHz方波振荡器：IC1的一部分构成，产生65kHz的方波信号。MOSFET开关：TR2作为N沟道MOSFET

在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET

在讨论电容性能时，我们总会听到“ESR越低，滤波效果越好”类似说法，这也导致许多小白不顾实际需求，使劲降低ESR，但这个观点是否正确？1、输入电容容量要求：大ESR要求：可适当降低，因为主要作用是耐压和吸收MOSFET开关脉冲。结论：在此场

推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时

在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

在电子设计中，输出模式的选择对电子系统的整体性能有重要影响，而开漏输出作为其中一种常见的输出模式，在多种场景中发挥重要作用。本文将介绍开漏输出，希望对小伙伴们有所帮助。1、开漏输出是什么？开漏输出是一种基于MOSFET（金属氧化物半导体场效

1、MPC22161-120——120A、双相非隔离式高效率降压电源模块MPC22161-120 是一款双相非隔离式高效率降压电源模块。集成驱动 MOSFET 和电感提供高效率和小尺寸，使得该模块非常适合服务器应用。MPC22161-120

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

整流电路整流电路是一种把交流电能转换为直流电能的电路。它主要由变压器、整流元件（如二极管或MOSFET）和滤波器等组成。根据电路结构和控制方式的不同，整流电路可以分为半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流、相控整流、斩波整流等多种类型。根