MOS管（场效应管）通常有三个引脚，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。区分这三个引脚的方法如下：1. 引脚标识源极 (S): 通常标有 "S" 或 "S2"。漏极 (D): 通常标有 "D"。栅极 (G):

在电子电力系统中，Cool-MOS是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用，但在实际应用中可能遇到不少问题，影响到系统的稳定性和可靠性，所以盘点下Cool-MOS会遇到哪些问题？1、电磁干扰超标Cool-MOS在高频率开关过程中，可能会产生强

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是现代电子电路中常见的电子元件，其源极（S）和漏极（D）的连接方式对电路的功能和性能有重要影响，但有时候可能会遇见S和D接在一起的情况，这是为什么？1、S和D为什么会连接在一起？①电路设计错误在电路设

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET

在电子电路中，我们总会需要设计各种电路及功能模块，其中之一是电磁铁，如果想要电磁铁做到简单的吸合与断开，那么选MOS管还是继电器？为什么？1、MOS管 VS 继电器①MOS管优点：快速响应：MOS管开关速度快，适合高频操作。低功耗：在导通状

MOS管在电子电路中扮演着重要角色，但其发热问题一直备受关注。所以今天我们来谈谈MOS管为什么会有发热问题！1、线性工作状态电路设计不当，使MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态，导致功率损耗增大，发热严重。2、开关不完全导通N-MOS的

MOS管作为电子电力系统中的核心元件，其稳定性和可靠性是很多工程师的重点之重，其中SOA失效是MOS管常见的失效模式之一，主要由于超出其安全工作区域而导致的热损坏或电气击穿，那么如何预防？1、如何判断MOS管是否SOA失效？①监测温度：最直

在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使

在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV

这两天有好多同学问能不能出一期关于全桥开关电源，那我们今天就简单讲一下全桥式开关电源。下图为简易的全桥式开关电源原理图： 图中，Q1-Q4为电源的开关管，我们也可以称为MOS管，他们被分为两组，Q1和Q4为一组，由信号1控制，当Q1和Q4导通时，输入电压Vi被加至变压器初级线圈N1的AB两端，同时在

我们之前介绍了反激式开关电源和正激式开关电源的一些知识，接下来我们来说一下半桥式开关电源。 半桥式开关电源的主要特征是有两个功率开关器件，我们一般采用MOS管，这两个功率器件以图腾柱的形式连接，然后以功率器件连接的中心点作为输出，向后级电路提供方波信号，下图为简易的半桥式开关电源结构图：

首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

U3842是一种电流控制型脉宽调制芯片，由于外围电路简单经典，所以被广泛应用，且做为很多新手入手的教材。从芯片规格书我们可以很容易看到芯片的应用电路，如下图所示：从上图中，我们可以很容易看到这个线路包含整流桥和电容组成的输出端整流滤波电路，变压器绕组上RCD尖峰吸收线路，高频变压器，MOS管，芯片U