自从中美贸易战的战火涉及华为、中芯国际等企业，美国以断供芯片和EUV光刻机手段重压制裁，人们开始第一次意识到作为“芯片之母”的EUV光刻机的重要性。若是中国想在半导体领域上有所成就，不受限他国，EUV光刻机的研发是不可或缺的。

近日，华为近日公布了一项关于EUV光刻技术的相关专利，专利申请编号为20210524685X，该专利申请将提供一种反射镜、光刻装置及其控制阀，涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。

如图所示，该专利包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3，其中反射镜2可旋转。相干光源1发出的光纤经过旋转的反射镜2的反射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。

该专利可解决EUV光刻相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。

据了解，集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，并决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。

随着芯片工艺制程向7nm以下节点的推进，极紫外（extreme ultraviolet，EUV）开始逐渐成为首选的光刻技术。

相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当这些子光束投射在掩膜版上叠加时会形成固定的干涉图样，出现有明暗变化、光强不均匀的问题，因此，必须先进行去相干处理(或者采用避免相干影响)，达到匀光效果，以保证光刻工艺的正常进行。