凡亿专栏 | 600V、晶体管IKD10N60RFATMA1,IGB30N60H3ATMA1 IGBT是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。
600V、晶体管IKD10N60RFATMA1,IGB30N60H3ATMA1 IGBT是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。

1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性,可节省高达60%的PCB空间。

详细描述:IGBT  600V 20A 150W 表面贴装型

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,10A

功率 - 最大值:150 W

开关能量:190µJ(开),160µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:64 nC

25°C 时 Td(开/关)值:12ns/168ns

测试条件:400V,10A,26 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):72 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

600V、晶体管IKD10N60RFATMA1,IGB30N60H3ATMA1 IGBT器件 —— 明佳达

2、IGB30N60H3ATMA1 600V HighSpeed3 H3 IGBT是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该器件为开关损耗树立了新标杆,推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗(比最接近的竞争对手低25%)是该系列的主要特性,将该系列用在您的设计中,最高可提升15%的效率。

详细描述:IGBT 600V 60A 187W 表面贴装型

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A

功率 - 最大值:187 W

开关能量:1.17mJ

输入类型:标准

栅极电荷:165 nC

25°C 时 Td(开/关)值:18ns/207ns

测试条件:400V,30A,10.5 欧姆,15V

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装:PG-TO263-3-2

产品.png

应用:

焊接逆变器

太阳能逆变器

不间断电源(UPS)

所有硬开关应用和软开关应用

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