凡亿专栏 | 推出业界最快1.8V低电压四I/O MXSMIO MX25U25645GXDI00、MX25U25645GZ4I00(NOR)串行闪存
推出业界最快1.8V低电压四I/O MXSMIO MX25U25645GXDI00、MX25U25645GZ4I00(NOR)串行闪存

1、介绍

推出业界速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO™ (Serial Multi I/O)序列闪存。新的MX25U家族8Mb~64Mb于四个 I/O 模式操作,每个I/O速度高达104MHz,不仅在储存下载SnD(Store and Download)速度上可超越并行闪存(Parallel Flash Memory),更可支援XIP (execute-in-place) 的功能,直接使用其特有加强的四元周边界面(Quad Peripheral Interface) 模式在闪存执行编码。由于具有高效能序列内存的优势,使用者得以享有较少的接脚数与节省印刷电路板空间,且传输量比并行内存更佳。

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兼具低电压与业界领先效能的MX25U系列适用于如移动电话、泛欧式数位无线电话(Digital Enhanced Cordless Telecommunication phones)、蓝牙商品、全球定位系统、便携式装置以及各种与节能有关的嵌入式应用产品。

2、MXSMIO闪存产品具有双通道和四通道I/O功能,可满足这些系统要求。这些产品具有许多优点,例如:

• 读取性能与并行闪存相当

• 系统启动时间更短

• 布局简化

• 串线较少

• 更低的功耗

• 减少引脚数(控制器或ASIC芯片)

• 减少代码执行的RAM缓冲区大小(从串行闪存直接访问)

• 降低系统BOM成本

3、规格

1、MX25U25645GXDI00 IC FLASH 256MBIT SPI/QU 24CSPBGA

存储器类型:非易失

存储器格式:闪存

技术:FLASH - NOR

存储容量:256Mb

存储器组织:32M x 8

存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR

时钟频率:166 MHz

写周期时间 - 字,页:60µs,750µs

电压 - 供电:1.65V ~ 2V

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:24-TBGA

供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8)


2、MX25U25645GZ4I00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

存储器类型:非易失

存储器格式:闪存

技术:FLASH - NOR

存储容量:256Mb

存储器组织:32M x 8

存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR

时钟频率:166 MHz

写周期时间 - 字,页:60µs,750µs

电压 - 供电:1.65V ~ 2V

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:8-WSON(8x6)

基本产品编号:MX25U25645

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