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凡亿专栏 | (MCU)嵌入式STM32G031K8U6TR、.CY9AF114LPMC-GE1 32-bit 闪存微控制器
(MCU)嵌入式STM32G031K8U6TR、.CY9AF114LPMC-GE1 32-bit 闪存微控制器

一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32UFQFPN

STM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达 64 MHz。这些微控制器集成度高,适用于消费、工业和家电领域的各种应用,并为物联网(IoT)解决方案做好了准备。

这些器件集成了存储器保护单元(MPU)、高速嵌入式存储器(8 千字节的 SRAM 和高达 64 千字节的闪存程序存储器,具有读取保护、写入保护、专有代码保护和可保护区域)、DMA、广泛的系统功能、增强型 I/O 和外设。这些器件提供标准通信接口(两个 I2C、两个 SPI / 一个 I2S 和两个 USART)、一个 12 位 ADC(2.5 MSps)(多达 19 个通道)、一个内部电压基准缓冲器、一个低功耗 RTC、一个高级控制 PWM 定时器(运行频率可达 CPU 频率的两倍)、四个通用 16 位定时器、一个 32 位通用定时器、两个低功耗 16 位定时器、两个看门狗定时器和一个 SysTick 定时器。

规格

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32 位单核

速度:64MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,SmartCard,UART/USART

外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT

I/O 数:30

程序存储容量:64KB(64K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:-

RAM 大小:8K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 18x12b SAR

振荡器类型:外部,内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:32-UFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装:32-UFQFPN(5x5)

基本产品编号:STM32G031


二、CY9AF114LPMC-GE1 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

CY9AF114LPMC-GE1是高度集成的 32 位微控制器,主要面向高性能和成本敏感型嵌入式控制应用。CY9AF114LPMC-GE1基于 Arm® Cortex®-M3 处理器、片上闪存和 SRAM,以及电机控制定时器、ADC、通信接口(UART、CSIO、I2C、LIN)等外设功能。

规格

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32 位单核

速度:40MHz

连接能力:CSIO,I²C,LINbus,SPI,UART/USART

外设:DMA,LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:51

程序存储容量:256KB(256K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:-

RAM 大小:32K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 9x12b SAR

振荡器类型:外部,内部

工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(12x12)

基本产品编号:CY9AF114


三、封装(UFQFPN32、LQFP64)

封装.png

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