1、ISZ113N10NM5LFATMA1 OptiMOS™ 5线性FET

ISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDSON-8FL封装，工作温度范围为-55°C至175°C。

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），63A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 36µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2300 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TSDSON-8 FL

封装/外壳：8-PowerTDFN

应用：

• 热插拔

• 电池保护

• 电子保险丝

• 以太网供电 (PoE) 应用中的软启动 (ISZ113N10NM5LF)

特点：

极低导通电阻RDS(on)

宽安全工作区 (SOA)

N沟道，正常电平

100%经雪崩测试

无铅电镀，符合RoHS指令

无卤素，符合IEC61249-2-21标准

2、ISK018NE1LM7AULA1 OptiMOS™ 7功率MOSFET 15V、PG-VSON-6-1

该器件采用功率MOSFET技术，具有15V创新、无引线、可靠的功率封装。OptiMOS 7在低导通电阻下具有高功率密度和高能效。同时可降低开关损耗，提高SOA 耐用性和高雪崩电流能力，有助于汽车应用的高效系统设计。

应用：

• 开关模式电源 (SMPS)

• 服务器

• 数据通信

• 人工智能

产品属性：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：15 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），129A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 106µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.6 nC @ 7 V

Vgs（最大值）：±7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 7.5 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），39W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-VSON-6-1

封装/外壳：6-PowerVDFN

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！