1、SCTH100N65G2-7AG SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。

主要功能：

符合AEC-Q101标准

非常快速和鲁棒的本征体二极管

极低的栅极电荷和输入电容

用于提高效率的源极感应引脚

技术参数：

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：95A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 50A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：162 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3315 pF @ 520 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：H2PAK-7

封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

基本产品编号：SCTH100

2、SCT060HU75G3AG 汽车级碳化硅功率MOSFET 750V、58 mOhm、30A、HU3PAK封装

汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。 该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。 这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

技术参数：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：78mOhm @ 15A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：680 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：185W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：HU3PAK

封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

3、应用：

•主逆变器（电力牵引）

•用于EV/HEV的DC/DC转换器

•车载充电器（OBC）

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