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凡亿专栏 | 推出功率密度最高, 质量最佳的IGLR60R190D1XUMA1、IGLR60R340D1XUMA1 (GaNFET) 600V增强型功率晶体管
推出功率密度最高, 质量最佳的IGLR60R190D1XUMA1、IGLR60R340D1XUMA1 (GaNFET) 600V增强型功率晶体管

产品简介

CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高, 功率密度最高, 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度, 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半桥拓扑结构。

CoolGaN™ 600 V系列是根据特定的GaN(氮化镓)定制认证工艺研发而成, 该工艺远远优于市场上的其他GaN产品。

CoolGaN™ 600 V适用于电信, 数据通信和服务器SMPS以及无线充电, 充电器和适配器等。 它是市场上最坚固可靠的解决方案。 CoolGaN™产品系列以高性能SMD封装为基础, 充分发挥了GaN的优势。


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产品

1、IGLR60R190D1XUMA1 

FET 类型:N 通道

技术:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1,6V @ 960µA

Vgs(最大值):-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):157 pF @ 400 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):55,5W(Tc)

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TSON-8-6

封装/外壳:8-PowerTDFN


2、IGLR60R340D1XUMA1

FET 类型:N 通道

技术:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 530µA

Vgs(最大值):-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):87.7 pF @ 400 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):41.6W(Tc)

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TSON-8-7

封装/外壳:8-PowerTDFN


关键性能

› 600V功率器件的最佳FOM

› 非常适合硬, 软开关拓扑

› 优化开启和关闭

› 尖端的技术, 创新的解决方案和高容量


主要优势

› SMPS的最高效率

› 最高的功率密度, 小巧轻便的设计

› 表面安装封装确保充分利用GaN的开关功能

› 藉助强有力的驱动器IC产品组合而易于使用

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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