凡亿专栏 | 高性能、单片机、基于ARM®内核:ADUCM420BCBZ、ADUCM300WBCPZ 精密模拟微控制器
高性能、单片机、基于ARM®内核:ADUCM420BCBZ、ADUCM300WBCPZ 精密模拟微控制器

一、ADUCM420BCBZ: 具有 MDIO 接口的 12 位模拟输入/输出、Arm Cortex-M33 的精密模拟微控制器

核心处理器:ARM® Cortex®-M33

内核规格:32 位单核

速度:160MHz

连接能力:I2C,SPI,UART/USART

外设:DMA,PWM,WDT

I/O 数:28

程序存储容量:512KB(512K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:-

RAM 大小:64K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 12x12b; D/A 12x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:64-WLCSP(3.46x3.46)

封装/外壳:64-UFBGA,WLCSP

基本产品编号:ADUCM420


概述

ADuCM420 是一款完全集成的单封装套件,包括高性能模拟外设套件和数字外设套件(由 160MHz Arm ® Cortex™-M33 处理器控制)以及用于数字码和数据的集成闪存。

ADuCM420 具有低功耗 Arm Cortex-M33 处理器和 32 位精简指令集计算机 (RISC) 机器,通过浮点单元 (FPU) 提供高达 240 MIPS 的峰值性能。片内还集成了 2× 256 kB 闪存/EE 存储器和 64 kB 静态随机存取存储器 (SRAM),两者都具有单比特错误校正 (SEC)、双比特错误检测 (DED) 和错误检查和纠正 (ECC)。闪存包含两个独立的 256 kB 模块支持一个闪存模块执行程序,同时另一个闪存模块进行写入/擦除操作。

ADuCM420 采用片内振荡器工作,锁相环频率为 160 MHz。该时钟可以选择性地进行分频,以降低功耗。可以通过 ADuCM420 软件设置其他低功耗模式。


应用

• 光纤网络 100 Gbps/200 Gbps/400 Gbps 和更高频率模块


二、ADUCM300WBCPZ: 符合汽车要求且具有 LIN2.2 从属接口的精密模拟微控制器

类型:ARM微控制器 - MCU

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32 位单核

速度:16.384Mhz

连接能力:LINbus,SPI

外设:POR,WDT

I/O 数:6

程序存储容量:128KB(128K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:4K x 8

RAM 大小:6K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3.6V ~ 18V

数据转换器:-

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 115°C(TA)

等级:汽车级

资质:AEC-Q100

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:32-LFCSP-VQ(6x6)

封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘,CSP

基本产品编号:ADUCM300


概述

ADuCM300 是一款完全集成的 8 kSPS(8000 Hz 转换率)数据采集系统,其中包含双路高性能 Σ-Δ 模数转换器 (ADC)、32 位 Arm® Cortex®-M3 处理器和微控制器单元 (MCU) 子系统。ADuCM300 具有 128 kB 程序闪存/EE、4 kB 数据闪存/EE 和 6 kB 静态随机存取存储器 (SRAM)。

ADuCM300 是适用于汽车应用中外部精密传感器电压测量的完整系统解决方案。该器件较大程度地减少了外部系统元件,可直接由 3.6 V 至 18 V 的外部电压源供电。片内低压差 (LDO) 稳压器可以为集成式数字和模拟子系统生成电源电压。


典型应用

• 适用于汽车应用的 LIN 传感器接口

• 一般动力总成、车身和底盘检测

• 用于工业应用的电流和电压检测


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