第一代半导体材料以传统的硅(Si)和锗(Ge)为代表,是集成电路制造的基础,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的;
第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和磷化镓(GaP)为代表, 相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,广泛应用于光电子和微电子领域;
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚 石(C)、氮化铝(AlN)等新兴材料为代表。
然而半导体发展已久,碳化硅芯片仍未大规模应用,这是为什么?因为现阶段碳化硅芯片还存在诸多技术壁垒。
1、碳化硅衬底的生产难度
·高温生长控制:碳化硅晶体需要在2000℃以上的高温环境中生长,对温度控制的要求极高;
·精确的硅碳比控制:碳化硅存在多种晶体结构,只有少数是所需的半导体材料,需要精确控制硅碳比等参数;
·扩径技术挑战:气相传输法下,碳化硅晶体生长的扩径技术难度大,影响晶体尺寸和品质;
·加工难度:碳化硅硬度高,接近金刚石,切割、研磨、抛光等加工技术难度大。
2、碳化硅器件制造工艺的挑战
·特定工艺开发:碳化硅具有独特的物理和化学性质,需要开发与材料特性吻合的特定工艺,如离子注入掺杂法、干刻蚀等,并控制多个关键参数;
·接触电阻与热稳定性问题:金属电极的制造要求解除电阻低且热稳定性好,但现有材料难以满足所有要求;
·切割磨损问题:碳化硅的高硬度特征对切割、掩膜技术提出了更高的要求,增加了制造成本及难度。
3、量产化挑战
·技术成熟度:尽管碳化硅材料具有优异的性能,但其生产工艺尚未达到大规模量产的成熟度;
·成本问题:碳化硅的生产成本相对较高,包括材料成本、加工成本、研发成本等,这限制了其在大规模市场中的应用;
·产业链协同不足:碳化硅产业链涉及多个环节,需要各环节之间的高度协同,但目前产业链协同不足,影响了整体的发展。
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