说明

UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准栅极驱动的应用。UnitedSiC UF3C SiC FET提供650V、1200V和1700V版本，并提供D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L和TO-220-3L封装。

1、UF3C065080B3 650 V, 80 mohm SiC FET D2PAK-3L

技术：SiC

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：25 A

Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：51 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：115 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降时间：12 ns

上升时间：13 ns

典型关闭延迟时间：50 ns

典型接通延迟时间：25 ns

单位重量：2.163 g

2、UF3C065080K3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-247-3L

规格

技术：SiC

安装风格：通孔

封装 / 箱体：TO-247-3

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：31 A

Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压：6 V

Qg-栅极电荷：51 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：190 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降时间：11 ns

产品类型：MOSFET

上升时间：14 ns

晶体管类型：1 N-Channel

典型关闭延迟时间：54 ns

典型接通延迟时间：25 ns

单位重量：6 g

3、UF3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L

规格

技术：SiC

安装风格：通孔

封装 / 箱体：TO-220-3

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：31 A

Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：51 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：190 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降时间：11 ns

产品类型：MOSFET

上升时间：13 ns

晶体管类型：1 N-Channel

典型关闭延迟时间：59 ns

典型接通延迟时间：18 ns

单位重量：2 g

应用

电信和服务器电源

工业电源

功率因数校正模块

电机驱动器

感应加热

650V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列器件：

UF3C065040K4S

UF3C065040T3S

UF3C065080B3

UF3C065080K3S

UF3C065080T3S

UF3SC065040B7S

UJ3C065080B3

UJ3C065080K3S

UJ3C065080T3S

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