凡亿专栏 | 西安三星扩产!
西安三星扩产!

三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规模扩张。

今年 10 月,三星电子获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。
中建钢构消息显示,三星(中国)半导体 12 英寸闪存芯片 M-FAB 项目模块已完成首吊,这也标志着项目正式进入主体施工阶段。
公开资料显示,三星(中国)半导体有限公司 2012 年落户西安高新区,而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。
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该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目,目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地,每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆,这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。
三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元(IT之家备注:当前约 780.47 亿元人民币),2017 年开始建造的第二工厂,先后投资了 150 亿美元(当前约 1077 亿元人民币)。
三星(中国)半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区,由三星(中国)半导体有限公司投资建设,总建筑面积约 10.7 万平方米。
官方指出,项目建成投产后将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地,为西安市电子信息产业高端集群化发展,打造全球知名的电子信息产业创新高地形成强有力的支撑。
Business Korea 今年 10 月报道称,三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规模扩张。
消息人士称,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备,这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。



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