凡亿专栏 | 新型材料问世,有望引领数据存储革命!
新型材料问世,有望引领数据存储革命!

随着电子技术高速发展,人们需要面对大量的数据冗余,现有的数据处理无法适应高数据量、高储能需求,必须要做出改变来适应时代变化,因此许多科学家致力于研发新型材料,希望能够带来数据存储革命。

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近期,一个国际研究组织公布了他们在理解与控制反铁磁材料方面的重大进展,该项研究及具体细节发表在知名学术杂志《自然通讯》上。

据了解,该新型材料的数据存储速度和能源效率有望超出传统铁磁材料1000被,为解决现代中心面临的能源挑战提供了新思路。

据该研究团队表示。凡铁磁材料与铁磁材料相比,其自旋动力学速度更快,这使得它们在数据存储方面具有巨大的潜力。因此,科学家深入研究了二氟化钴(CoF2)这种反铁磁材料,发现其中磁振子与声子的共存为快速数据存储提供了可能。

该新型材料,邻近自旋以反平行的方式排列,极大地加快了自旋动力学,从而实现了更快的数据写入速度和更低的能耗。

此外,科学家还探索了费米共振现象,这是一种在原子和分子层面上发生的振动模式相互作用,通过费米共振,研究团队首次实现了自旋和晶格之间的强耦合,为反铁磁材料中的能量传递提供了新机制。

这项研究不仅为反铁磁材料的动力学控制提供了新思路,也为基于这些材料的新型数据存储技术的开发铺平了道路。

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