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凡亿专栏 | 2024年或将出现内存/闪存缺货潮
2024年或将出现内存/闪存缺货潮

随着科技的不断进步,消费者对高清照片、视频录制、媒体下载等需求不断上涨,在智能手机、平板电脑等的推动下,这促使内存和闪存市场不断扩大,因此,内存和闪存市场可以说是当下较火的半导体细分领域之一。

据国内媒体报道,NAND Flash(闪存)控制IC厂商群联CEO,即潘建成表示:随着主要存储芯片厂商相继减产,加上部分终端市场会问,NAND市况开始走强,报价上涨。

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他还表示,近期客户的拉货更加积极,但由于市场供给持续因为大厂减产,受到了一定的限缩,预计明年可能会出现缺货潮。

为这个预测增加可行性的是来自TrdneForce集邦咨询,该机构预估第四季度移动DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)合约价均上涨,涨势或将延续至明年第一季度。

其中,第四季移动DRAM(内存)合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash(闪存)方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%。

据业界人士分析,此次内存/闪存涨价潮的原因主要有:三星扩大减产、美光20%涨幅、华为Mate 60等刺激其他中国智能手机厂商扩大其生产目标等。

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