在USB电路设计中，电源信号（VBUS）的走线质量直接影响设备充电稳定性与数据传输可靠性。要想电源信号好，良好的走线质量是必不可少，下面就开课讲讲！

1、线宽与载流能力

强制参数：VBUS走线宽度≥50mils（1.27mm），铜厚≥2OZ。

物理依据：2OZ铜厚下，50mils线宽可安全承载1.5A电流（USB 3.0标准），避免线宽不足导致的压降和发热。

验证手段：使用PCB计算器（如Saturn PCB Toolkit）验证线宽-载流关系。

2、走线长度控制

总长红线：VBUS总走线长度≤18英寸（457.2mm）。

风险规避：长距离走线会增加电源噪声和电压降，优先从连接器直连至芯片电源引脚。

补偿策略：若必须绕线，需在路径中增加去耦电容（0.1μF陶瓷电容，靠近电源引脚）。

3、空间隔离与层叠设计

隔离标准：VBUS与高速信号线（如D+/D-差分对）间距≥50mils（1.27mm）。

特殊场景：空间受限时，可在相邻层铺铜屏蔽，但需保持VBUS参考平面完整。

层叠要求：VBUS优先布在内层，参考GND或Power平面，避免跨分割区域。

4、过孔与焊盘设计

过孔规范：VBUS过孔数量≤2个，焊盘直径≥30mils，孔径≥15mils。

物理优势：大过孔降低寄生电感，避免电源完整性（PI）恶化。

禁忌操作：禁止在差分对下方放置VBUS过孔，防止阻抗突变。

5、去耦电容布局

电容放置：在VBUS入口处并联10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容，距离芯片电源引脚≤50mils。

关键细节：陶瓷电容需靠近引脚，电解电容可放置在板边，通过电源层连接。

验证手段：使用示波器观察电源噪声，确保纹波≤50mV。

6、拓扑与工艺规范

走线形态要求：

禁止90°折弯，统一使用45°或圆弧转角，弯曲半径≥3倍线宽。

避免VBUS与GND形成环路，防止天线效应导致EMI超标。

测试点放置：距离VBUS末端≥50mils，避免破坏载流能力。

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