众所周知，电子元器件使用时间过久，会出现老化现象，如同潜藏在电路中的定时炸弹，但很多工程师经常忽视这个现象，其实它的影响远超表面参数变化，直接威胁系统稳定性。这种微观层面的劣化会引发链式反应，最终导致整个电路性能崩塌。

1、参数漂移引发信号失真

电阻值随温度循环出现±5%以上偏移，导致增益电路误差累积

电容容值衰减造成滤波器截止频率偏移，高频噪声抑制能力下降30%

电感磁芯饱和点降低，开关电源输出纹波增大至200mVp-p

2、漏电流增加导致功耗失控

MOSFET栅极氧化层穿通，静态漏电流从nA级跃升至μA级

CMOS电路阈值电压漂移，待机功耗增长200%-500%

电解电容ESR飙升，纹波电流处理能力下降60%

3、热稳定性下降诱发热失控

焊点金属间化合物生长，接触热阻增加3倍

半导体材料晶格缺陷增多，结温每升高10℃寿命缩短50%

散热基板翘曲度超标，导致局部热点温度突破TJ-MAX

4、时序紊乱造成功能异常

晶体振荡器频率稳定度劣化，通信系统误码率突破10^-6

逻辑门传输延迟增加，建立保持时间余量归零

存储器刷新周期失调，数据保持时间缩短至原设计的1/10

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