1. 杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。

N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。

P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。

2. N型半导体

   （1）在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。如下图所示。

（2）N型半导体中的载流子是什么？

1. 有施主原子提供的电子，浓度和施主原子相同。

2. 本征半导体中成对产生的电子和空穴。

      掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。

3. P型半导体

 在硅或者锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。如下图所示。

P型半导体中空穴是多子，电子是少子。