功率密度在更小的空间内实现更大的功率,从而以更低的系统成本增强系统功能随着人们对电源的要求越来越多,电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路,才能实现产品的差异化,并提高效率和增强热性能。使用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术,现能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。器件产热更少? 业内先进的电源处理节点电压小于 100V? 600V 氮化镓 (GaN) 器件可提供出色的开关性能比较效率提升对温升影响的热图像。比较效率提升对温升影响的热图像。散热型封装? HotRod? 封装? 支持散热垫的增强型 HotRod QFN 封装HotRodTM 封装不仅省去了 接合线,还能保持出色的热性能。拓扑和电路支持更小的无源组件? 多级转换器拓扑? 先进的功率级栅极驱动器支持更小磁性元件的多级拓扑。支持更小磁性元件的多级拓扑。通过集成,可最大限度地减小寄生效应并减少系统占用空间? MicroSiP 3D 模块集成? 具有低环路电感的 GaN 和驱动器多芯片模块(MCM)MicroSiP 封装支持 3D 集成。功率密度的关键产品分类:电池充电器IC,降压-升压和反相稳压器,氮化镓(GaN)IC,隔离偏置电源,隔离栅极驱动器,LED驱动器,线性稳压器(LDO),多通道 IC(PMIC),离线和隔离DC / DC控制器 与转换器,电源开关,降压型稳压器,升压型稳压器,USBType-C和USB Power Delivery ICGaN + 栅极驱动器 MCM 可减小寄生效应,并提高功率密度 。
低静态电流 (IQ)在不影响系统性能的同时,延长电池寿命和存储时间在电池供电的系统中,为了在空载或轻负载条件下实现高效率,需要电源解决方案在保持超低供 电电流的同时,对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 IQ 技术和产品组合,您可在下一个设计中实现低功耗,并最大限度地延长电池运行时间。低待机功耗● 使用超低泄漏元件和新型控制拓扑,延长电池运行时间快速唤醒和低待机功耗。快速响应时间● 通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能,以提高动态响应时间,同时保持超低的静态功耗与同类产品相比,TI 产品具有超低的 IQ 和出色的瞬态响应。需要低 IQ 特性的主要产品类别:电池充电器 IC、降压/升压和反相稳压器、线性稳压器 (LDO)、电源开关、串联电压基准、并联电压基准、降压稳压器、升压稳压器、监控器和复位 ICS外形小巧● 借助 TI 的专利电路技术,可实现支持应用的裸片和封装尺寸,且不会影响静态功耗不影响 IQ 的超小型封装。
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