由于文章篇幅所限，不得不将MOS晶体管的电容特性分为上下两部分，上部分可点击我空间进行查看。
4、若Vgs再增大，排斥掉更多的空穴，吸引了更多的电子，使得Si表面电位下降，能级下降，达到低于P型衬底的费米能级，这时Si表面的电子浓度超过了空穴的浓度，半导体呈N型，这就是反型层，不过它只是一种弱反型层，因为这时电子的浓度还低于原来空穴的浓度。
随着反型层的形成，来自栅极正电荷发出的电力线，一部分地落在这些点子上，耗尽层厚度的增加就减慢了，相应的MOS电容Csi的减小也就减慢了。
5、当Vgs增加，达到VT值，Si表面电压的下降，能级下降已达到P型衬底的费米能级与本征半导体能极差的二倍。它不仅抵消了空穴，成为本征半导体，而且在形成的反型层中，电子浓度已达到原先的空穴浓度，这样的反型层就是强反型层。显然，耗尽层厚度不再增加，Csi也不在减小，这样就得到最小值Cmin：

最小的Csi是由最大的耗尽层厚度Xpmax计算出来的。
6、当Vgs继续增大，反型层中电子的浓度增加，来自栅极正电荷的电力线，部分落在这些点子上，落在耗尽层束缚点子上的电力线树木就有所减少，情况有些复杂，但耗尽层电容将增大，两个电容串联后，C将增加。当Vgs足够大时，反型层中的电子浓度已大到能起到屏蔽作用，全部的电力线落在电子上。时，反型层中的电子将成为一种镜面反射，感应全部负电荷，于是，C = Cox，电容曲线出现了凹谷形。