凡亿专栏 | 美国绕开EUV光刻机成功实现0.7nm芯片?
美国绕开EUV光刻机成功实现0.7nm芯片?

近日,美国成功制造出0.7nm芯片的消息正在席卷科技界,引发业界热议,连世界最先进的芯片代工厂商台积电和三星至今仍未突破2nm以下的技术限制,美国是怎么实现0.7nm芯片?

据了解,该消息来自美国Zyvex Labs,9月21日,Zyvex Labs宣布正式推出世界上最高分辨率的光刻系统——ZyvexLitho1,该机器可通过量子物理技术来实现原子精度图案化和亚纳米分辨率,这将促使量子计算能够实现真正意义上的通信加密,更快还原药物发现和天气预报。

1.png

据Zyvex Labs表示,ZyvexLitho1是一款基于扫描隧道显微镜仪器,它具备着许多商业扫描隧道显微镜不具备的自动化特性和功能,也是首个提供原子精度图案化的商用工具。

而所谓的0.7nm芯片正是基于该机器而产生的产品。

若是对半导体行业有一定了解,所谓的几纳米芯片其实是一个工艺节点的代号,通常意义上,该代号是用一个数字命名,后跟纳米的缩写,如7nm、5nm、3nm等。

而达成该0.7nm的光刻系统是属于一种称为氢去钝化光刻(Hydrogen Depassivation Lithography )的技术,它是一种电子束光刻技术 (EBL),可实现原子分辨率。

据维基百科介绍,电子束光刻(通常缩写EBL)是扫描聚焦电子束以在覆盖有称为光刻胶(曝光)的电子敏感膜的表面上绘制自定义形状的做法。电子束改变了光刻胶的溶解度,通过将抗蚀剂浸入溶剂中(显影),可以选择性地去除曝光或未曝光区域。与光刻一样,其目的是在抗蚀剂中创建非常小的结构,然后通常通过蚀刻将其转移到基板材料上。

电子束光刻的主要优点是它可以绘制具有sub-10 nm 分辨率的自定义图案(直接写入) 。这种形式的无掩模光刻具有高分辨率和低产量,限制了其用于光掩模制造、半导体器件的小批量生产以及研发。

据了解,该机器的用途包括为基于量子点的量子比特制作极其精确的结构,以实现最高的量子比特质量。该产品可用于其他非量子相关应用,例如构建用于生物医学和其他化学分离技术的纳米孔膜。

所以,该0.7nm芯片严格来说智能用于制造小批量的量子处理器芯片,对于我们所常见的手机、电脑等产品,不是很适配。


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表凡亿课堂立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。
相关阅读
进入分区查看更多精彩内容>
精彩评论

暂无评论