众所周知，全球能负责5nm以下的芯片先进制程工艺的晶圆代工厂商唯有台积电和三星，由于近年来，三星在骁龙8 Gen 1的不顺加上5nm产品良品率不高，口碑受到一定的影响，所以三星重金大力发展3nm及2nm工艺，那么现在的进程如何？

近日，三星在SEDEX 2022会议上更新了最新的技术路线图，宣称计划2025年投产2nm芯片，2027年投产1.4nm。

对于2nm芯片技术方案，三星研究员Park Byung-jae透露了BSPDN（back side power delivery network）方案的细节，也就是背面供电。

据了解，该技术最早在2019年被提出，后在2021年IEDM的一篇论文中又做了引用。

据论文内容表示，背面供电能解决当前正面方案（FSPDN）造成的布线堵塞问题，微观层面，可使芯片的性能提升44%，能效提升30%。

之前Intel也表示，在未来的更先进工艺中使用VIA，后者同样采用背面供电技术。