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凡亿专栏 | ​SRAM、FALSH、DRAM、SSRAM等的区别
​SRAM、FALSH、DRAM、SSRAM等的区别

随着时代发展,数据处理量日益增长,越来越多的电子工程师急需好用的存储器来提供存储空间,这也促使存储器逐渐成为电子设备必备的核心部分,今天我们来盘点那些常见的存储器。

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1、SRAM

即静态随机存储器,存取速度快,但容量小,一旦掉电后数据将丢失,不像DRAM需要不停的refresh,制造成本较高,通常用来作为快取(CACHE)记忆体使用。

2、FLASH

即闪存,结合了ROM和RAM的长处,功能是通过特定的程序可修改里面的数据,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失。但缺点是存取速度慢,优点是容量大,掉电后数据不会丢失。

3、DRAM

即动态随机存储区,必须不断的重新的加强(REFRESHED)电位差量,否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态,价格比SRAM便宜,但访问速度较慢,耗电量较大,常用作计算机的内存使用。

4、SSRAM

即同步静态随机存取存储器,对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其他控制信号均与时钟信号相关。

5、SDRAM

即同步动态随机存取存储器,是指是有一个同步接口的动态随机存取内存。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(相比,可以有一个更复杂的操作模式。


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