凡亿专栏 | 集成驱动器LMG3411R150RWHR GaN FET 工业电源应用
集成驱动器LMG3411R150RWHR GaN FET 工业电源应用

产品概述

LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能,让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复(可将开关损耗降低高达80%)以及低开关节点振铃(降低EMI )。这些特性支持高密度、高效拓扑结构,例如推拉输出电路PFC。

LMG341xR150的一系列独特的特性可简化设计,最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能,是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。

集成栅极驱动实现100V/ns开关,VDS振铃几乎为零。限流响应小于100ns,自防止意外击穿事件。过温关断可防止热失控,系统接口信号提供自我监控功能。

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参数:LMG3411R150RWHR  6A PMIC - 配电开关,负载驱动器

开关类型:负载开关

输出数:1

比率 - 输入:输出:1:1

输出配置:高端

输出类型:N 通道

接口:逻辑,PWM

电压 - 负载:480V(最大)

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V

电流 - 输出(最大值):6A

导通电阻(典型值):150 毫欧

输入类型:非反相

特性:自举电路,5V 稳压输出

故障保护:过流,超温,UVLO

工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:32-VQFN(8x8)

封装/外壳:32-VQFN 裸露焊盘

基本产品编号:LMG3411R150

应用

工业交流-直流电源

笔记本电脑电源适配器

LED标牌

伺服驱动功率级

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