电磁兼容（EMC）是电子产品普遍存在的问题，也是电子工程师在电路设计/产品设计时需要首先解决的问题，很多工程师为抑制EMC通常会选择金属屏蔽，但在评比过程中如何知晓金属屏蔽是否达到最佳水平？这就需要用上金属屏蔽效率，所以本文将分享金属屏蔽计算的方法。

一般来说，电子工程师选择的屏蔽材料及做法，大多是金属罐、薄金属片和金箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层（如导电漆及梓线喷涂等）。无论是金属还是涂有导电层的塑料，一旦设计人员确定好作为屏蔽外壳材料，即可计算金属屏蔽效率。

可用屏蔽效率（SE）对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，计算公式如下：

SEdB=A+R+B；

式中，A是吸收损耗（dB）；R是反射损耗（dB）；B是校正因子（dB）（适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况）。

一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一，即SE等于20dB；而有些场合可能会要求将场强降至最初的十万分之一，即SE要等于100dB。

吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式如下：

AdB=1.314(f×gX)1/2×t

其中，f是频率(MHz)，u 是铜的导磁率，o是铜的导电率，t是屏蔽罩厚度反射损耗(近场)的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。对于杆状或直线形发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变化(恒为377)。

相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离超过波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定在377处。

反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不仅取决于波的类型，而且.取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。

近场反射损耗可按下式计算

R(电)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×1g(u/ )]R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(u / o )]

式中，r是波源与屏蔽之间的距离。

SE算式最后一项是校正因子B，它的计算公式如下：

B=20lg[-exp(-2t/o]

此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况，由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，表示屏蔽效率的下降情况。