三极管放大有三种组态：共射（电压放大，反相，增益大）、共集（射随，电压跟随，电流放大，输入阻抗高输出低）、共基（电流跟随，高频好，输入阻抗低）；静态工作点 Q 点由基极偏置决定，要让信号在放大区不截止不饱和；分压偏置最常用，稳定工作点。
本文概述
三极管放大是模拟电路基础，面试常考：三种组态、Q点、偏置电路。回答要给对比和公式。
核心要点
共射：电压放大，反相，增益 -βRc/Re，输入阻抗中等，输出高
共集（射随）：电压跟随（增益≈1），电流放大，输入阻抗高输出低，做缓冲
共基：电流跟随（增益≈1），电压放大，高频好，输入阻抗低
静态工作点 Q：Ib、Ic、Vce，要在放大区（Vce>Vce_sat，Ib>0）
分压偏置（Rb1/Rb2+Re）最常用，Re 负反馈稳定 Q 点
面试官考察点
模拟电路基础题。面试官看你是否理解三极管组态。重点听：增益、阻抗、应用。
回答思路
给三种组态对比表，讲 Q 点和偏置。
参考回答
三种组态对比。
| 项目 | 共射 | 共集（射随） | 共基 |
|---|---|---|---|
| 输入极 | 基极 | 基极 | 发射极 |
| 输出极 | 集电极 | 发射极 | 集电极 |
| 公共极 | 发射极 | 集电极 | 基极 |
| 电压增益 | 大（-βRc/Re） | ≈1（跟随） | 大（βRc/Re） |
| 电流增益 | β | β+1 | ≈1 |
| 相位 | 反相（180°） | 同相 | 同相 |
| 输入阻抗 | 中（~kΩ） | 高（~几十kΩ） | 低（~几十Ω） |
| 输出阻抗 | 高（~Rc） | 低（~几十Ω） | 高（~Rc） |
| 高频特性 | 一般（密勒效应） | 好 | 最好（无密勒） |
| 应用 | 电压放大 | 缓冲/阻抗变换 | 高频/宽带放大 |
静态工作点 Q。
Q 点 = 直流工作状态：Ib、Ic、Vce；
放大区条件：发射结正偏（Vbe≈0.7V），集电结反偏（Vce>Vbe）；
Q 点太高（Ic 大）→ 信号正半周饱和失真；
Q 点太低（Ic 小）→ 信号负半周截止失真；
合适 Q 点：Vce ≈ Vcc/2，Ic 根据输出幅度选。
分压偏置电路（最常用）。
Vb = Vcc × Rb2 / (Rb1+Rb2)
Ve = Vb - Vbe ≈ Vb - 0.7V
Ie ≈ Ve / Re
Ic ≈ Ie
Vce = Vcc - Ic×Rc - Ie×Re ≈ Vcc - Ic(Rc+Re)
Rb1/Rb2 分压固定基极电压；
Re 发射极电阻，直流负反馈稳定 Ic（温度变化时 Ic 变化被 Re 抵消）；
Re 并联旁路电容 Ce，交流短路 Re，不降低交流增益。
增益计算（共射，有 Ce）。
Av = -β × Rc / rbe
rbe = rbb' + (1+β) × 26mV / Ie(mA)
一般 rbe ~ 1kΩ（Ie=1mA, β=100）
注意。
三极管 β 离散性大（50~300），设计不能依赖精确 β；
温度升高 β 增大、Vbe 下降，Ic 增大，Re 负反馈抑制；
最大输出幅度受 Q 点限制：Vpp ≈ 2×min(Vce-Vce_sat, Ic×Rc)；
多级放大用电容耦合（隔直通交）或直接耦合（直流放大）。
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