说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准

集成电路设计过程1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。3.版图设计（Layout） 依据所设计的电路画版图。一般使用Cadence软件。4.后仿真对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。5.后续处理将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。集成电路设计的辅助和自动化主条目：计算机辅助设计和电子设计自动化