QFN、大功率MOS这类带底部散热焊盘的器件，不少人随便打几个过孔就完事，结果实测温升远超预期。不用盲目堆过孔数量，按功率等级匹配参数，就能兼顾散热效率和加工可行性。1. 常规中小功率基础配置1W以内的普通QFN器件，散热过孔选0.3mm孔

有个朋友用GaN做车载DC-DC，效率上去了，结果EMI炸穿。他第一反应是GaN器件有问题，想换供应商。我让他把板子发过来，一眼就找到问题所在——PCB layout。这不是个案。我见过太多工程师把GaN当成"升级版MOSFET"来用，结果

很多工程师在PI仿真时面对一个灵魂拷问——电容加到多少个才算够？答案不是拍脑袋，而是让仿真告诉你。1、纹波从哪来？芯片输出级的MOS管在切换瞬间，上下管会短暂同时导通，产生30到100mA的尖峰电流。这股电流撞上电源线的寄生电感，电压就被拉

电机驱动是EMC重灾区。一上电，电源线上尖峰密布，传导辐射双双超标。问题出在哪？1、尖峰从哪来？换向火花是元凶。 有刷电机电刷与换向器接触瞬间，电弧放电产生数百MHz的高频脉冲，直接窜入电源线。PWM开关是帮凶。 MOSFET高速切换，di

电阻加大了，波形还是乱跳。问题不在电阻，而在你看不见的地方。1、振荡的本质驱动走线的寄生电感L，与MOS管栅极寄生电容C，构成LC谐振回路。公式很直白：当驱动电阻 R < 2√(L/C) 时，电路处于欠阻尼状态，振荡必然发生。你调电阻没用，

每次通电都像开盲盒，一不小心芯片就冒烟。别急着换芯片，先学会安全排查。第一步：断电查短路万用表打到二极管档，测输入端对地阻值。正常应该有几百欧姆以上，如果接近零欧姆，说明某处已经击穿。重点查输入电容、MOS管D-S极、整流桥。找到短路点，换

同步整流重载效率碾压二极管，但一到轻载就"翻车"。反向环流损耗让效率曲线陡峭下坠，这道选择题困扰着每个电源工程师。1、问题根源：MOS管太"积极"了二极管天然单向导通，电流到零就停。但同步整流的MOSFET是双向通道，轻载时电感电流反向，M

SW节点振铃是开关电源设计中最常见的"隐形杀手"。它不仅引发EMI超标，更可能击穿MOSFET，导致炸机。搞定振铃，RC吸收电路是第一道防线。1、振铃从何而来？本质是寄生电感Lp与寄生电容Cp构成的LC谐振回路。开关管高速切换时，di/dt

多路复用器一切换，输出端就冒出ns级电压尖峰，幅值可达50至200mV。罪魁祸首就是电荷注入。不搞定它，16位ADC读出来可能只剩12位。1、毛刺从哪来？模拟开关由并联的NMOS和PMOS构成。控制信号跳变时，栅极-漏极寄生电容CGD将电荷