Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF

Cool-MOS（超级结MOSFET）以其快速开关特性和低功耗在高频开关电源等领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，Cool-MOS系统也面临着一系列问题。本文将直接列出Cool-MOS系统应用中的常见问题，以便工程师快速识别和解决。一、E

在现代电子设备中，CMOS电路靠着低功耗、高集成度等特点广泛应用，但是这并不意味着CMOS电路是完美的，高输入阻抗特性使得CMOS电路对静电、干扰等异常敏感，所以工程师在使用/设计CMOS电路时，一定要注意这些地方。1、未用管脚处理所有未使

IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

电子电路中，有源元件（主动元件）主要包括以下几种类型：三极管：BJT（三极管）：双极性晶体管，广泛用于信号放大和开关。FET（场效应管）：如 MOSFET 和 JFET，主要应用于高频放大和开关电路。集成电路（IC）：包含多个电路功能的元件

在SMPS（开关电源）PCB设计中，大家都说噪声和热量问题是无法解决的，难以避免。但我们可以通过良好的布局布线策略来有效控制及最小化它们的影响。一、噪声问题的具体解决方案1、直接开关噪声的抑制：使用低噪声的开关元件，如MOSFET，并优化其

瞬态振铃是开关电源电路中高频开关动作引起的电压或电流振荡，通常是由寄生电感和电容引起的，这种现象若是不解决，很容易导致后续无法正常运行，效率大大降低。必须及时解决。1、优化功率回路将输入电容、MOSFET、输出电感和输出电容的走线长度控制在

在开关电源（SMP）设计中吗，PCB布局对性能、效率和可靠性至关重要。要想SMP产品优秀，良好的布局布线是必不可少，下面将分享一些实用的技巧，希望对小伙伴们有所帮助。1、功率回路最小化缩短功率路径：将输入电容、开关管（MOSFET）和输出电

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）作为电子设备中不可或缺的电子元器件，电子工程师需要判断其方向，保证后续的电路设计及维修，下面将谈谈如何判断，以此提供实用的技术指导。1、MOS管方向的基本判断规则寄生二极管方向判断：对于N沟道MOS管