芯片（集成电路, IC）内部通常包含多种电子元件，这些元件共同协作以实现特定的功能。以下是芯片内部常见的一些电子元件：晶体管类型: 主要是MOSFET（场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）。功能: 用于放大信号和逻辑运算，形成基本的开关和

MOS管（场效应管）通常有三个引脚，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。区分这三个引脚的方法如下：1. 引脚标识源极 (S): 通常标有 "S" 或 "S2"。漏极 (D): 通常标有 "D"。栅极 (G):

在半导体技术日新月异的今天，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为集成电路中的核心组件，其性能优劣将影响着整个系统的效能。而在MOSFET参数中，我们总会听说闸极长度是半导体制程进步的关键，这是为什么？1、闸极长度与MOSFET尺

在电子电力系统中，Cool-MOS是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用，但在实际应用中可能遇到不少问题，影响到系统的稳定性和可靠性，所以盘点下Cool-MOS会遇到哪些问题？1、电磁干扰超标Cool-MOS在高频率开关过程中，可能会产生强

随着时代发展，现代电子设计逐渐高性能、低损耗，要想实现这两个目标，离不开半导体器件的选择，而Cool-MOS作为一种先进的功率MOSFET，凭借其独特的性能优势，在众多应用中脱颖而出。1、通态阻抗与损耗优势Cool-MOS具有极小的通态阻抗

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是现代电子电路中常见的电子元件，其源极（S）和漏极（D）的连接方式对电路的功能和性能有重要影响，但有时候可能会遇见S和D接在一起的情况，这是为什么？1、S和D为什么会连接在一起？①电路设计错误在电路设

反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压，导致电流反向流过系统。来源：1. MOSFET用于负载切换应用时，体二极管变为正向偏置。2. 当电源从系统断开时，输入电压突然下降。需要考虑反向电流阻断的场合：1. 功率多路复用供电采用MOS控制时2. ORing控制。ORing与功率多路复用类似，不同

步入21世纪后，随着对高压、大电流、高效率及快速开关特性的需求日益增长，传统MOS功率器件已经难以满足很多应用场景的要求，因此，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电路应运而生，成为该问题的解决方案，那么我们为什么需要它？1、降低导通电阻IGBT

今天将谈谈这个镇流器电路图，该电路由IC1、TR1、TR2、L1等元件组成，用于输出80V的开关电源。1、电路核心功能是什么？65kHz方波振荡器：IC1的一部分构成，产生65kHz的方波信号。MOSFET开关：TR2作为N沟道MOSFET

在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET