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产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、

这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。

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