凡亿教育-思敏
凡事用心,一起进步
打开APP
公司名片
凡亿专栏 | 嵌入式【ARM】STM32H757IIT6基于高性能Arm Cortex-M7 32位双核微控制器
嵌入式【ARM】STM32H757IIT6基于高性能Arm Cortex-M7 32位双核微控制器

STM32H757IIT6 STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。


该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。


该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。

模板.png

核心处理器:ARM® Cortex®-M4/M7

内核规格:32 位双核

速度:240MHz,480MHz

连接能力:CANbus,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG

外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT

I/O 数:119

程序存储容量:2MB(2M x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:-

RAM 大小:1M x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.62V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 28x16b; D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:176-LQFP

供应商器件封装:176-LQFP(24x24)

基本产品编号:STM32H757

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表凡亿课堂立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。
相关阅读
进入分区查看更多精彩内容>
精彩评论

暂无评论