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凡亿专栏 | 1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成
1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成

1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。

概述:

沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

这些通孔IGBT还具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA),击穿电压高达1200V,因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。该IGBT的Vsat超低,提供高达5kHz开关频率。IXYS XPT第四代沟槽型IGBT包括一个正集电极-发射极电压温度系数。因此,设计人员可以并联使用多个器件,以满足大电流要求和低栅极电荷需求,从而有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。

典型应用包括电池充电器、灯具镇流器、电机驱动器、功率逆变器、功率因数校正 (PFC) 电路、开关模式电源、不间断电源 (UPS) 和电焊机。

规格1.png

IXYA20N120A4HV器件规格:

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):135 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,20A

功率 - 最大值:375 W

开关能量:3.6mJ(开),2.75mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:46 nC

25°C 时 Td(开/关)值:12ns/275ns

测试条件:800mV,20A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):54 ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263HV

基本产品编号:IXYA20


IXYA30N120A4HV技术参数:

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):106 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):184 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,25A

功率 - 最大值:500 W

开关能量:4mJ(开),3.4mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:57 nC

25°C 时 Td(开/关)值:15ns/235ns

测试条件:960V,25A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):42 ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263HV

基本产品编号:IXYA30

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