凡亿专栏 | 三星搞3nm GAA工艺不行?良产率仅50%
三星搞3nm GAA工艺不行?良产率仅50%

随着芯片制程工艺的提升,由于晶体管密度限制和工艺提升难度,三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术,从台积电手中抢走过不少订单,如高通骁龙888和骁龙8 Gen等,但在3nm GAA工艺上,三星似乎遇到了不少麻烦,至今仍未量产,而旁边台积电早已如火如荼开始量产。

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据了解,三星已经开始向中国客户交付了第一批3nm GAA芯片,但这些芯片并非“完整芯片”,简单来说,是缺少了逻辑芯片中的SRAM。

有报道声称,三星目前很难生产处完整的3nm GAA晶圆,并且良产率仅有50%,因此高通表示若良产率没有提升至70%,是不会下订单的。

需要知道的是,三星的50%良产率意味着“一片晶圆只能切割出一半的良品,但晶圆间隔并不会因此降低,芯片成本相比70%良率高了40%”,也就是说,如果三星无法提升良产率,高通将不得不提高骁龙处理器的价格,从而导致恶性循环。

因此,高通骁龙8 Gen 4可能会放弃三星,转而采用台积电的N3E工艺进行量产,那么三星将遭受重大损失,毕竟目前三星的最大客户是高通。

而且,根据以往多年的经验,同一代制程工艺,三星制造的芯片不论是性能还是功耗发热,相比台积电都差了不少。

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