凡亿专栏 | 英特尔已实现3D先进封装大规模量产
英特尔已实现3D先进封装大规模量产

自从芯片工艺已进行到3-5nm工艺制度,逐渐达到摩尔定律的物理极限,这也造成很多企业及专家唱衰摩尔定律,但作为摩尔定律的追随者,英特尔为此不断努力验证者摩尔定律的可行性。

近日,英特尔正式宣布:已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产,可在2030年后继续推进摩尔定律。

这一进展,不仅可以在芯片产品的性能、尺寸及设计应用的灵活性方面获得竞争优势,还将推动英特尔下一阶段的先进封装技术创新。

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同时,英特尔还表示:在其最新完成升级的美国芯墨西哥州Fab 9工厂,以实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产,其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros。

据了解,该Foveros是3D先进封装技术,在处理器制造过程中,可以垂直而非水平方式堆叠计算模块,也就是说,通过和EMIB等封装技术,可实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,然后在2030年继续推进摩尔定律。

可能很多人没听说过摩尔定律,简单来说,摩尔定律是Intel创始人之一戈登·摩尔的经验之谈,其核心内容为:

集成电路上可以容纳的晶体管数量,每经过18-24个月便会翻一番,而处理器的性能大约每2年翻一倍,同时价格降低一半。

英特尔CEO帕特·基辛格此前也曾表示,“对于那些宣告我们(摩尔定律)已经死亡的批评者来说,在元素周期表用完之前,我们绝不会停下!”

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