自从芯片工艺已进行到3-5nm工艺制度，逐渐达到摩尔定律的物理极限，这也造成很多企业及专家唱衰摩尔定律，但作为摩尔定律的追随者，英特尔为此不断努力验证者摩尔定律的可行性。

近日，英特尔正式宣布：已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，可在2030年后继续推进摩尔定律。

这一进展，不仅可以在芯片产品的性能、尺寸及设计应用的灵活性方面获得竞争优势，还将推动英特尔下一阶段的先进封装技术创新。

同时，英特尔还表示：在其最新完成升级的美国芯墨西哥州Fab 9工厂，以实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros。

据了解，该Foveros是3D先进封装技术，在处理器制造过程中，可以垂直而非水平方式堆叠计算模块，也就是说，通过和EMIB等封装技术，可实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，然后在2030年继续推进摩尔定律。

可能很多人没听说过摩尔定律，简单来说，摩尔定律是Intel创始人之一戈登·摩尔的经验之谈，其核心内容为：

集成电路上可以容纳的晶体管数量，每经过18-24个月便会翻一番，而处理器的性能大约每2年翻一倍，同时价格降低一半。

英特尔CEO帕特·基辛格此前也曾表示，“对于那些宣告我们(摩尔定律)已经死亡的批评者来说，在元素周期表用完之前，我们绝不会停下！”