一、概述

1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFET采用3.3x3.3mm扁平引线封装，专为紧凑高效设计而设计，具有高散热性能。

2、NTTFS005N04CTAG N沟道MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的40V MOSFET。该器件采用扁平引线封装，专为紧凑高效设计而设计，具有高散热性能。

二、技术参数

1、NTTFS6H860NLTAG： MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8，1A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：610 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerWDFN

基本产品编号：NTTFS6

2、NTTFS005N04CTAG ： MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），69A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerWDFN

基本产品编号：NTTFS005

三、封装