凡亿专栏 | 一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路
一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路

电路解析:

  • 当I/O为高电平时,三极管导通,MOS管栅极被拉低,1.8V电源导通;

  • 当I/O为低电平时,三极管不导通,MOS管不导通,1.8V电源不导通。


为什么要这样做呢?


这个和三极管和MOS的特性有很大关系:三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。


三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通,硅材料三极管的死区电压一般为0.6V,锗材料三极管的死区电压一般为0.3V,所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可,而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。所以MCU先连接控制三极管。


而MOS管就不一样了,MOS管是电压型驱动,其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通,不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的,一般为3V~5V左右,最小的也要2.5V,但这也只是刚刚导通,其电流很小,还处于放大区的起始阶段,一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。


一般MCU IO输出电压为3.3V,很可能无法打开MOS管,所以MCU不直接连接控制MOS管。


而且三极管带负载的能力没有MOS管强,所以MCU控制三极管,然后再控制MOS管来控制负载设备。

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