Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力,采用各种创新技术和前沿28-nm工艺,突破带宽瓶颈,降低了宽带应用的成本和功耗。
Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造,提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器,以及工作在速率28 Gbps的集成收发器。器件还采用了业界最高级的专用硬核知识产权(IP),提高了系统集成度和性能,而没有成本和功耗代价。该系列包括四种型号产品,满足了无线/固网通信、广播、计算机和存储、测试和医疗市场的多种应用需求。这些型号产品包括:
· Stratix V GT FPGA——业界唯一面向100G以上系统,集成28-Gbps收发器的FPGA。
· Stratix V GX FPGA——支持多种应用的600-Mbps至12.5-Gbps收发器。
· Stratix V GS FPGA——600-Mbps至12.5-Gbps收发器,适用于高性能数字信号处理(DSP)应用。
· Stratix V E FPGA——适用于ASIC原型开发和仿真以及高性能计算应用的高密度FPGA。
Stratix® V GS FPGA含有66个高性能、低功耗12.5 Gbps收发器。Stratix V FPGA支持多种3G、6G和10G协议以及电气标准,满足兼容性要求,例如,10G/40G/100G、Interlaken和PCI Express (PCIe) Gen 3、Gen2、Gen 1。该器件还支持与10G背板(10GBASE-KR)和光模块的直接链接。
参数
5SGSMD4E3H29I4G
LAB/CLB 数:135840
逻辑元件/单元数:360000
总 RAM 位数:19456000
I/O 数:360
电压 - 供电:0.82V ~ 0.88V
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ)
封装/外壳:780-BBGA,FCBGA
供应商器件封装:780-HBGA(33x33)
5SGSMD4E2H29I2G
LAB/CLB 数:135840
逻辑元件/单元数:360000
总 RAM 位数:19456000
I/O 数:360
电压 - 供电:0.87V ~ 0.93V
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ)
封装/外壳:780-BBGA,FCBGA
供应商器件封装:780-HBGA(33x33)
5SGSMD4E3H29C4G
LAB/CLB 数:135840
逻辑元件/单元数:360000
总 RAM 位数:19456000
I/O 数:360
电压 - 供电:0.82V ~ 0.88V
安装类型:表面贴装型
工作温度:0°C ~ 85°C(TJ)
封装/外壳:780-BBGA,FCBGA
供应商器件封装:780-HBGA(33x33)
Stratix V FPGA内核体系结构经优化提高了面积和逻辑效率以及系统性能,包括:
· 新的自适应逻辑模块(ALM)体系结构——在最大的器件中额外增加了800K寄存器,提高了逻辑效率。ALM体系结构适用于需要大量流水线和寄存器的设计。
· 含有M20K模块的增强嵌入式存储器结构——提高了面积效率,性能更好。
· 业界第一款精度可调DSP模块——实现了效率最高、性能最好的多精度DSP数据通路。
· 用户友好的部分重新配置功能——设计人员可以重新配置部分FPGA,而其他部分仍然正常运行。
Stratix V FPGA在所有FPGA中实现了集成度最高的硬核IP,提高了器件性能,没有功耗或者成本代价。器件增强功能包括PCIe Gen3, Gen2, Gen1、40G/100G以太网、CPRI/OBSAI、Interlaken、Serial RapidIO (SRIO) 2.0和万兆以太网(GbE) 10GBASE-R。增强了读/写通路的存储器接口包括DDR3、RLDRAM II和QDR II+。
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