若要问哪家内存芯片业务谁最强，毫无疑问是三星电子，尤其是在HBM、NAND等芯片业务上，三星可以说是称霸全球。这些年来，三星电子不断在HBM芯片上改革，提出多项重大技术。

据外媒报道，三星电子将在2024年年底推出可将HBM内存与处理器芯片3D集成的SAINT-D技术，榆次同时，三星也有可能在明年推出的HBM4内存中正式应用SAINT-D技术。

据了解，SAINT-D是三星电子的一项3D IC封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和DRAM内存裸片，而该技术的具体实现方式是在处理器和HBM芯片间建立硅中介层。

需要注意的是，三星电子早在此前表示：其SAINT-D技术目前正处于概念验证阶段。

目前HBM内存与处理器之间采用2.5D封装链接，两者之间存在一定距离，这个距离引入了更大的传输延迟，还影响了电信号质量，提升了数据移动功耗。而SAINT-D技术可以将处理器和HBM内存的距离讲到更低，有利于AI加速器芯片进一步释放性能潜力。

按照媒体的说法，该SAINT-D技术有望改变AI半导体领域的游戏规则。

而且，对三星电子来说，一旦成功实现SAINT-D技术，由于能够提供从先进节点代工，HBM内存生产到整体封装集成的全流程“交钥匙”服务，那么SAINT-D的应用可以带动三星电子HBM和代工业务的发展。