随着人工智能（AI）技术的飞速发展，作为AI芯片的关键技术支持，高频宽存储器（HBM）芯片成为了当下最火爆的芯片新宠，然而其产能资源有限，市场上呈现出“僧多粥少”场面，HBM内存芯片严重供不应求。

为了改变这一现状，存储器行业的全球龙头企业，如SK海力士、三星电子和美光等都在积极光从HBM芯片产能，然而扩充需要一定时间，可以说现在是抢夺HBM芯片的激化期。

据了解，HBM技术的特点是有极强的高速数据传输能力，是AI芯片设计中不可或缺的一部分，从HBM1到HBM3E，每一代产品都在堆叠层数、传输速度和存储容量上实现了显著提升。

自从2023年AI芯片火爆，英伟达靠着AI芯片业务，订单数量及营收暴涨，特别是其采用HBM3E存储器的H200芯片，进一步推动了HBM市场的蓬勃发展。

据悉，SK海力士、三星和美光三大厂商今年的HBM供应能力已经全部耗尽，而且包括明年的产能大部分早已被预定，为了满足更多市场需求，缓解产能紧张趋势，这些厂商正在展开一场激烈的产能扩充竞赛。

SK海力士计划大幅增加其第5代1b DRAM的产能，以应对HBM和DDR5 DRAM需求的增加。三星也在今年3月宣布将大幅提高HBM产能，而美光正在美国建设先进的HBM测试生产线，并考虑在马来西亚生产HBM。