虽然现在许多半导体厂商正在钻研先进芯片制程，即便是最先进的光刻机，也只能做到生产2nm芯片，但不少科学家及研究所仍在持续探索提升光刻机的综合性能，目前，他们认为用于产生光源的激光器或将是新的突破口。

据外媒Tom's Hardware报道，美国实验室正在开发一种拍瓦（一种功率单位，表示10^15瓦特）级的大孔径铥（BAT）激光器。据悉，这款激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器。

据报道内容来看，上个月前，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布：由该机构牵头的研究组织旨在为极紫外 (EUV) 光刻技术的下一次发展奠定基础，而其中关键即是被称作BAT激光器的驱动系统。

对于这款尚在开发的新型BAT激光器，LLNL方面表示，其能以更低的能耗制造芯片，并且可能会催生出下一代“超越EUV”的光刻系统，借此系统生产的芯片将会“更小、更强大”。

“我们将在LLNL 建立第一台高功率、高重复率、约2微米的激光器，”LLNL等离子体物理学家杰克逊·威廉姆斯表示：“BAT 激光器所实现的功能还将对高能量密度物理和惯性聚变能领域产生重大影响。”