若想要芯片性能好，就离不开晶体管，因为晶体管是构建放大器、开关及电源管理系统的核心组件。在市场上，IGBT、BJT和MOSFET是三大主流晶体管，如何根据项目选择其中一个？

1、工作原理对比

①BJT（双极型晶体管）

结构：由发射极、基极、集电极构成，通过基极电流控制集电极电流。

特性：电流驱动型器件，需持续基极电流维持导通，导通压降低但开关速度慢。

②MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）

结构：由源极、栅极、漏极构成，通过栅极电压控制漏极电流。

特性：电压驱动型器件，输入阻抗极高（兆欧级），开关速度快但导通电阻较大。

③IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

结构：融合MOSFET栅极控制与BJT大电流处理能力，通过栅极电压控制MOSFET部分，进而驱动BJT部分。

特性：兼具高输入阻抗与低饱和压降，开关速度介于MOSFET与BJT之间。

2、核心参数对比

3、适用场景对比

①BJT适用场景

低频功率放大：如音频放大器、射频功率放大器。

线性电源调节：利用其低导通压降特性，减少功耗。

②MOSFET适用场景

高频开关电源：如DC-DC转换器、快充充电器。

数字逻辑电路：作为CMOS反相器、传输门的核心元件。

电机驱动：配合PWM调速，实现高效能量转换。

③IGBT适用场景

中频大功率应用：如电动汽车逆变器、工业变频器。

电网电力转换：高压直流输电（HVDC）、柔性交流输电（FACTS）。

电磁炉/感应加热：利用其高耐压与大电流特性，承受高频开关应力。

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