看一些电源原理图时，会发现MOS Gate不是简单串一个10Ω就结束。

常见画法是：一颗主Gate电阻旁边，再并一个二极管和另一颗电阻。

第一次看到很容易把它理解成“二极管负责保护Gate”。

其实多数情况下，它更主要的作用是：让开通和关断走不同的电阻。

MOS开通和关断面对的问题不完全一样。

开通太快，Vds、Id的dv/dt和di/dt会变大，振铃、EMI、反向恢复尖峰都可能更重；但开通太慢，MOS在线性区停留时间长，Switching Loss又会上去。

关断也一样。关太慢会增加关断损耗；关太快，又可能把Vds尖峰顶得很高。

图1：典型的Rgon、Rgoff加二极管结构，用不同路径分别控制MOS开通和关断。

以“慢开快关”为例，开通时二极管反偏，Gate充电只能经过较大的Rgon，所以Vgs上升更慢。

关断时Gate电流方向反过来，二极管导通，电流可以经过另一颗更小的Rgoff回到Driver，Gate放电更快。

二极管方向一反，逻辑也跟着反：可以做成快开慢关。

图2：MOS开通、关断时Gate Charge、Vgs、Vds和Id变化并不同，Gate电阻直接参与这些过渡过程。

调Gate电阻时只看Vgs够不够漂亮，信息是不够的。

我会同时看Vgs、Vds和Id，最好再看对侧MOS的Gate。

改Rgon，重点观察开通损耗、Vds下降速度、反向恢复电流、开通振铃和EMI；改Rgoff，则重点看关断损耗、Vds Overshoot以及对侧是否出现寄生开通。

图3：实测Vgs与Vds在开通过程中的变化，Miller平台正是Gate电阻重点影响的区间。

第一，Gate Resistor要靠近MOS Gate。Driver到MOS之间如果留一大段线，寄生电感照样会进入Gate Loop。

第二，别忘了Driver自己的Source/Sink输出阻抗。你外面放5Ω，不代表Gate回路总阻抗就是5Ω。

一些Driver本身就提供分开的Source/Sink引脚，这种情况下可以直接配Rgon、Rgoff，不一定还需要外加二极管。

图4：Gate电流在开通和关断时方向相反，因此可以利用二极管给两个方向设置不同阻抗。

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