答：PCB设计中常用的存储器有如下几种：

Ø SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50%；

Ø DDR， Dual Data Rate双倍速率同步动态随机存储器,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR。与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作；

Ø DDR2，DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行;

Ø DDR3，DDR3（Double Data Rate 3）SDRAM是DDR2的升级产品，采用8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担，采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能；

Ø FLASH，Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。在实际应用中的闪存主要分为NOR和NAND两种。NOR有着较快的数据读取速度，但数据写入速度却很慢。在电子产品中一般作为程序存储器。而NAND虽然数据读取速度比NOR慢，但数据写入速度却比NOR快的多，因此在电子产品中一般作为数据存储器；

Ø QDR，QDR（Quad Data Rate):四倍数据倍率，在DDR的基础上，拥有独立的写接口和读接口，以此达到4倍速率，例如QDR-SRAM等 。DDR2-SDRAM，DDR3-SDRAM基本原理和DDR-SDRAM是一样的，通过提高时钟频率来提升性能，因为时钟频率提高了，必须做相应的预处理（DDR支持2、4、8busrt, DDR2支持4和8，而DDR3只支持8）。