凡亿专栏 | 三星3nm芯片有望在今年第二季度量产
三星3nm芯片有望在今年第二季度量产

近日三星表示有望在本季度(即未来几周)开始使用3GAE(3nm级栅极全方位早期)制造工艺量产芯片,这意味着三星将首次量产3nm制造芯片,也是全球第一个使用GAAFET(栅极全包围场效应晶体管)的半导体厂商。

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据了解,三星所使用的3GAE工艺技术是基于GAA晶体管的工艺,官方称之为多桥通道场效应晶体管(MBCFETs),该项技术是三星三年前推出,声称该工艺将使性能提高30%,功耗降低50%,晶体管密度提高80%。

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从理论上来讲,与目前使用的FinFET(鳍式场效应晶体管)相比,GAAFET有诸多优势,在GAA晶体管中,通道是水平的,被栅极所包围。GAA通道是利用外延和选择性材料去除形成的,这使得设计者可以通过调整晶体管通道的宽度来精确地调整它们。通过更宽的通道获得高性能,通过更窄的通道获得低功率。这样的精度大大降低了晶体管的漏电电流以及晶体管的性能变化,这意味着更快的投产时间、上市时间和提高产量。

简单来说就是,GAAFET技术可以缩短芯片生产时间,同时提高芯片产量。据数据报告中分析,GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。

三星初次使用3AGE,考虑到产量和性能达标率,主要提供三星LSI(三星的芯片开发部门)和几个高级客户使用。

作为三星的老对手,台积电所使用的3nm制造工艺仍是以FinFET为主,确保芯片产量达标,良品率不受影响。但根据台积电的发展路线图,台积电的2nm工艺将转向GAAFET。

有人分析,三星加快3nm量产计划,或是失去高通大订单想借此拉回客户心思。三星4nm良品率未达标,且三星所生产的高通处理器骁龙8 Gen 1性能不如骁龙888,口碑不好,导致高通将下一代处理器芯片和部分的骁龙8 Gen 1订单转向台积电。

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