凡亿专栏 | 芯片制造商加入NAND闪存战争,或推动QLC SSD应用
芯片制造商加入NAND闪存战争,或推动QLC SSD应用

据台媒报道,近日有业界人士分析,芯片制造商入局200层以上3D NAND闪存芯片,将掀起一场风波,这风波将促使QLC SSD的应用,尤其是在2023年的消费电子领域。
据业界人士分析,在消费类SSD中,QLCNAND的采用率预计将在明年达到20%。
近年来,随着全球芯片严重短缺,芯片制造厂商不得不寻求机会以获取替代业务,加上大火的3D NAND闪存芯片已成为当下的“新风口”,为挣杯羹,芯片制造厂商纷纷入局200层以上的3D NAND闪存芯片,QLC NAND闪存芯片价格在芯片制造厂商带来的先进技术迭代进一步降低,有人分析预测在2024-2025年,QLC NAND SSD将被广泛应用在企业级SSD。
据了解,三星电子或将率先在2022年底开始生产200层以上的3D NAND闪存芯片,按照其发展路线图来看,将在2023年初推出超200层的第八代V-NAND。
而美光科技已推出号称是业界首个232层的3D NAND闪存芯片,将被应用在2023年推出的新品SSD,除此之外,美光科技还公布了2YY层、3XX层和4XX层NAND技术的计划。
与此同时,现阶段三星和美光都已经大规模生产各自的176层3D NAND闪存芯片。
作为它们的竞争对手之一,西部数据也不甘示弱,在近日的投资者日活动中透露与合作伙伴铠侠联合开发2XX层NAND技术的计划。他们的第六代162层的BICS 3D NAND技术也将是今年的制造中的。

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