随着微电子高速发展，我国虽然在半导体芯片领域上起步较晚，甚至部分核心技术仍被海外垄断，但在政府扶持及企业重视，我国在硅基芯片上取得初步效果，但我们也不能忽视光子芯片。

和常见的硅基芯片不同，光子芯片的工作原理跟硅基芯片不同，运算速度可提升1000倍以上，甚至不需要以来先进的光刻机，比如我们被限制的EUV光刻机，因此是各国各企业正弦发展的新一代信息技术。

据北京日报报道，记者从中科鑫通获悉，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成。

也就是说，我国首条光子芯片产线明年将建成！一旦建成后可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。 

据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低。从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片。从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。

需要注意的是，相较于电子芯片，光子芯片对结构的要求较低，一般是百纳米级，因此降低了对先进工艺的依赖。中科鑫通总裁隋军也表示，光子芯片使用我国已相对成熟的原材料及设备就能生产，而不像电子芯片一样，必须使用EUV等极高端光刻机。