众所周知，全球能制作芯片先进工艺的半导体代工厂商只有台积电、三星，目前，在先进工艺上，台积电和三星量产或即将量产的7nm、5nm及3nm。而作为半导体强国的美国却在时间长河中逐渐被落后在台积电三星。

为了实现在赛道上超过台积电和三星，美国计划逆向行动，不再先进工艺上超越它们，而是打算复活90nm，争取制造出来的芯片是7nm芯片的50倍。

近日，美国晶元厂商SkyWater宣布，已获得美国国防部下属DARPA的进一步资助，将获得2700万美元来推动开发90nm战略抗辐射（RH90）FDSOI技术平台，总投资费用高达1.7亿美元。

据了解，相比台积电、三星、Intel等知名半导体厂商，SkyWater公司规模小，资历不深，还是2017年成立，是个综合实力不强的初创公司，旗下的晶圆厂是来自于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要以130nm及90nm为主，部分先进芯片最多是65nm级别。

然而，令人困惑的是他们却得到了美国DARPA的青睐，没成立多久就可以参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在五年内投资15亿美元，旨在推动美国半导体行业的发展。

在ERI计划中，SkyWater负责的是采用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM，碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。

当然，目前来说，这些技术限制仍然没有实现完全突破，但换句话说，该技术的成功，可能是改变半导体行业规则的新技术。